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BSC050N04LS G 发布时间 时间:2025/4/30 17:33:55 查看 阅读:15

BSC050N04LS G是一款来自英飞凌(Infineon)的MOSFET芯片,属于OptiMOS系列。该器件采用了先进的技术制造,适用于多种高效能开关应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力等特点。这款芯片特别适合于要求高效率和高可靠性的电路设计中,如电源管理、电机驱动和电信系统等。

参数

额定电压:40V
  最大漏源电流:50A
  导通电阻(典型值):3.8mΩ
  栅极电荷(典型值):12nC
  连续工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-220

特性

BSC050N04LS G具备卓越的电气性能,其主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻使得功率损耗显著降低,从而提高了整体效率。
  2. 快速的开关速度减少了开关损耗,非常适合高频操作环境。
  3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣的工作条件。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

该MOSFET广泛应用于多个领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电机驱动电路,用于控制和调节电机的速度与方向。
  3. 电池管理系统(BMS),用以保护电池组免受过充或过放的影响。
  4. 逆变器和转换器,提供高效的能源转换功能。
  5. 各类工业自动化设备,确保稳定可靠的电力供应。

替代型号

BSC050N04LS GTR
  BSC050N04LS
  IRFZ44N
  FDP056AN

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BSC050N04LS G参数

  • 数据列表BSC050N04LS G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 27µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3700pF @ 20V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000354806